IRLR120N (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRLR120N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 28165
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Полевой транзистор. 100V. 11A.

IRLR120NTRLPBF (INFIN)
Доступно 32010 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

IRLR120NPBF (INFIN)
от 23,30 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:10A; Resistance, Rds On:0.185ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:TO-252; Current, Idm Pulse:35A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:IRLR120NPBF; Pins, No.…

IRLR120NTRPBF (INFIN)
от 22,60 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…