IRF6614TR1PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6614TR1PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 281649
OBS Снято с производства
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, DIRECTFET, 40V, ST

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ40V
Current, Id Cont12.7A
Resistance, Rds On5.9mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleST
Termination TypeSMD
Base Number6614
Current, Idm Pulse102A
Marking, SMD2.1
Power Dissipation2.1mW
Voltage, Vds40V
Voltage, Vgs th Max2.25V
Voltage, Vgs th Min1.35V

Производитель: INFIN
Даташит для IRF6614TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRF6614TR1 (INFIN)
Доступно 1000 шт. (под заказ)

MOSFET, N, DIRECTFET, ST; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:40V; Current, Id Cont:55A; Resistance, Rds On:8.3mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.8V; Case Style:ST; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:2560pF; Charge, Qrr Typ @ Tj 25°C:5.5nC; Current, Idm Pulse:102A; Depth, External:4.85mm; IC Package (Case style):ST; Length / Height, External:0.7mm; Marking, SMD:6614; Pins, No.…

IRF6614TRPBF (INFIN)
Доступно 190821 шт. (под заказ)

MOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs