IRFZ34NSPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFZ34NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFZ34NSPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 280754
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Рассеиваемая мощность
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,

MOSFET, N, 55V, 29A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont29A
Resistance, Rds On0.04ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse100A
Marking, SMDFZ34NS
Power Dissipation68W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd68W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A2.2°C/W
Voltage, Vds55V
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max4V

Производитель: INFIN
irfz34n.pdf
IRFZ34NSTRLPBF (INFIN)
Доступно 35357 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

В НАЛИЧИИ 403шт.
38,40 от 93 шт. 32,90 от 201 шт. 30,20
Расчет доставки...