IRFS59N10DPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFS59N10DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 280670
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

MOSFET, N, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont59A
Resistance, Rds On0.025ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse236A
Length / Height, External4.69mm
Marking, SMD59N10
Power Dissipation200W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max5.5V
Width, External10.54mm

IRF3710ZSPBF (INFIN)
от 81,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:59A; Resistance, Rds On:0.018ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

IRFS59N10DTRLP (INFIN)
Доступно 8000 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fully Characterized Avalanche Voltage a…