MJD32CT4G (On Semiconductor)

Наименование MJD32CT4G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 278497
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Конфигурация
Монтаж
Частота перехода ft
Серия
Максимальная рабочая температура

TRANSISTOR, PNP, D-PAK

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo100V
Current, Ic Continuous a Max3A
Voltage, Vce Sat Max1.2V
Power Dissipation1.56W
Hfe, Min10
ft, Typ3MHz
Case StyleD-PAK
Termination TypeSMD
Complementary DeviceMJD31CT4G
Current, Ic Max3A
Current, Ic hFE3A
Current, Icm Peak5A
Voltage, Vcbo100V

MJD32CT4 (ST)
от 8,90 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 1.2 В; IК(макс): 3 А; Pрасс: 15 Вт; h21: 10...50

MJD32CT4 (ONS)
Доступно 1590 шт. (под заказ)

Bipolar Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:100V; DC Current Gain Min (hfe):10; Package/Case:TO-252; Collector Current:3A; Collector Current @ hfe:3чA; Leaded Process Compatible:Yes

MJD32CG (ONS)
от 15,80 Склад (1-2 дн)

TRANSISTOR, PNP, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:3A; Voltage, Vce Sat Max:-1.2V; Power Dissipation:1.56W; Hfe, Min:10; ft, Typ:3MHz; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:TO-252; Current, Ic Max:3A; Current, Ic hFE:1A; Depth, External:10.28mm; Length / Height, External:2.38mm; Marking, SMD:MJD32C; Power, Ptot:15W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No.…