IRG4BC30KD-S (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRG4BC30KD-S
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 27735
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C

IGBT-транзистор+диод. 600V. 28A

IRG4BC30KD-SPBF (INFIN)
Доступно 1920 шт. (под заказ)

IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:28A; Voltage, Vce Sat Max:2.21V; Power Dissipation:100W;…

IRG4BC30KDSTRLP (INFIN)
Доступно 3733 шт. (под заказ)

IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz

IRG4BC30KDSTRRP (INFIN)
Доступно 2400 шт. (под заказ)

IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz