IRLR2703PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRLR2703PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 276861
OBS Снято с производства
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,

MOSFET, N, 30V, 22A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont22A
Resistance, Rds On0.045ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse96A
Power Dissipation38W
Power, Pd38W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.045ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A3.3°C/W
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Min1V

Производитель: INFIN
Даташит для IRLR2703PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRLR2703TRPBF (INFIN)
Доступно 26786 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…