IRFIZ34NPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFIZ34NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 274755
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Qg - Gate Charge
Конфигурация

MOSFET, N, 55V, 19A, TO-220FP

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont19A
Resistance, Rds On0.04ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220FP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse100A
Pins, No. of3
Power Dissipation31W
Power, Pd31W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A4.1°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max55V