GS66516T-EVBDB (GaN Systems )

Наименование GS66516T-EVBDB
Производитель GaN Systems (GAN)
Артикул 2739231
Производитель компонента
Чип/Ядро
Сравнить В избранное

The GS66516T-EVBDB daughter board consists of two GaN Systems 650V GaN Enhancement-mode HEMTs (part number GS66516T) and all necessary circuits including half bridge gate drivers, isolated power supplies and optional heatsink to form a functional half bridge power stage. It allows users to easily evaluate the GaN E-HEMT performance in any half bridge-based topology, either with the universal motherboard or the users’ own system design.

Serves as a reference design and evaluation tool as well as deployment-ready solution for easy insystem evaluation
Vertical mount style with height of 35mm, which fits in majority of 1U design and allows evaluation of GaN E-HEMT in traditional through-hole type power supply board
Current shunt position for switching characterization testing
Universal form factor and footprint for all products

Технические характеристики:

  • Производитель: GaN Systems
  • Категория продукта: Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием
  • Ограничения на доставку: На данный момент нет поставки эту продукцию в ваш регион
  • RoHS: есть
  • Продукт: Daughter Cards
  • Тип: Gate Drivers
  • Средство предназначено для оценки: GS66516T
  • Входное напряжение: 5 V
  • Выходное напряжение: 650 V
  • Описание/функция: GaN E-HEMT top side cooled
  • Выходной ток: 60 A
  • Торговая марка: GaN Systems
  • Для использования вместе с: GS66516T
  • Тип продукта: Power Management IC Development Tools

В статье анализируется потенциал силовых GaN-устройств и важность использования драйверов для GaN-ключей, проводится сравнение характеристик нитрид-галлиевых транзисторов и MOSFET, а также кратко рассматриваются методы уменьшения влияния шумов, возникающих в цепи затвора.

*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()