IRF1010EPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF1010EPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 272451
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Рассеиваемая мощность
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id

MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:81A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:330A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:170W; Power, Pd:170W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.012ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:0.9°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:60V

Производитель: INFIN
Даташит для IRF1010EPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRF1010EPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRF1010E (INFIN)
Доступно 906 шт. (под заказ)

MOSFET, N TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:81A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:330A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

IRF1018EPBF (INFIN)
от 36,60 Склад (1-2 дн)

40V-75V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant

IPP093N06N3GXKSA1 (INFIN)
Доступно 5785 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, OptiMOS™ 60V is a perfect choice for Synchronous Rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those foun…

В НАЛИЧИИ 1483шт.
38,60 от 88 шт. 33,10 от 191 шт. 30,40
Расчет доставки...