IRFI1010NPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFI1010NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFI1010NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 272135
Серия
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont44A
Resistance, Rds On0.012ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220FP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse290A
Pins, No. of3
Power Dissipation47W
Power, Pd47W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max55V

Application Note Detailed MOSFET Behavioral Analysis
Производитель: INFIN
irfi1010npbf.pdf
В НАЛИЧИИ 337шт.
77,00 от 46 шт. 66,00 от 100 шт. 60,50
Расчет доставки...