IRFU9120NPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFU9120NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 270197
OBS Снято с производства
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, P, -100V, -6.6A, I-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-100V
Current, Id Cont6.6A
Resistance, Rds On0.48ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-4V
Case StyleI-PAK
Termination TypeThrough Hole
Case Style, AlternateI-PAK
Current, Idm Pulse26A
Power Dissipation39W
Power, Pd39W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V480ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A3.2°C/W
Time, t Off31ns
Time, t On47ns
Voltage, Vds Max100V

IRFU9110PBF (VISH/IR)
Доступно 10728 шт. (под заказ)

P-KANAL POWER MOSFET PLASTIK

IRFU9120PBF (VISH/IR)
от 26,30 Склад (1-2 дн)

MOSFET, P, -100V, -5.6A, I-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-100V; Current, Id Cont:5.6A; Resistance, Rds On:0.6ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-4V; Case Style:I-PAK; Termination Type:Through Hole; Case Style, Alternate:I-PAK; Current, Idm Pulse:25A; Length, Lead:9.65mm; Pitch, Lead:2.28mm; Power Dissipation:42W; Power, Pd:42W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:3°C/W; Time, t Off:25ns; Time, t On:29ns; Transistors, No.…