IRFB23N20D (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFB23N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB23N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFB23N20D
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 26842
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

MOSFET, N TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont24A
Resistance, Rds On0.1ohm
Case StyleTO-220AB
Current, Idm Pulse96A
Pins, No. of3
Power Dissipation170W
Power, Pd170W
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max5.5V

IRFB4020PBF (INFIN)
от 65,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 200V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.9V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4020; Charge, Gate N-channel:18nC; Current, Idm Pulse:52A; Pins, No.…

IRFB23N20DPBF (INFIN)
Доступно 6619 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 200V, 24A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:24A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5.5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:96A; Pins, No.…