IRFB31N20D (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB31N20D
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 26841
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

MOSFET, N TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont31A
Resistance, Rds On0.082ohm
Case StyleTO-220AB
Current, Idm Pulse124A
Pins, No. of3
Power Dissipation200W
Power, Pd200W
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max5.5V

IRFB4227PBF (INFIN)
от 109,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 200V, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:65A; Resistance, Rds On:26ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

IRFB31N20DPBF (INFIN)
от 81,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 200V, 31A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:31A; Resistance, Rds On:0.082ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5.5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:124A; Pins, No.…

STP30NF20 (ST)
Доступно 1192 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Iс(25°C): 30 А; Rси(вкл): 75 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 38 нКл; Pрасс: 125 Вт