IRFZ44NS (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFZ44NS
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 26838
Рассеиваемая мощность
Корпус
Напряжение для измерения Rds(on)
Макс. напряжение Vdss
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

MOSFET, N D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont49A
Resistance, Rds On0.022ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse160A
Power Dissipation110W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd110W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds55V
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max4V

Производитель: INFIN
IRFZ44NS.pdf
IRFZ44NSTRLPBF (INFIN)
Доступно 35018 шт. (под заказ)

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:49A; Package/Case:D2-PAK; Power Dissipation, Pd:110W; Continuous Drain Current - 100 Deg C:35A; Drain Source On Resistance @ 10V:17.5mohm

IRFZ44NSPBF (INFIN)
от 62,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 55V, 49A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:49A; Resistance, Rds On:0.022ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:160A; Power Dissipation:110W; Power Dissipation, on 1 Sq.…