IRF1010ZPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF1010ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF1010ZPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 268072
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов

MOSFET, N, 55V, 94A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont94A
Resistance, Rds On0.0075ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse360A
Power Dissipation140W
Power, Pd140W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V7.5ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.11°C/W
Voltage, Vds Max55V

Производитель: INFIN
Даташит для IRF1010ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Доступно 74757 шт. (под заказ)

120V-300V N-Channel Power MOSFET, The 120V OptiMOS™ family offers at the same time the lowest on-state resistances of the industry and the fastest switchi…

Доступно 2001 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

Доступно 4943 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…