IRF6629TR1PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF6629TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF6629TR1PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 265506
OBS Снято с производства
Ток стока Id
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Кол-во выводов
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)
Корпус
Тмакс,°C

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ25V
Current, Id Cont29A
Resistance, Rds On2.7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Base Number6629
Current, Id Cont @ 70°C23
Current, Idm Pulse230A
Energy, Avalanche Single Pulse Eas1170mJ
Power Dissipation2.8mW
Temperature, Storage Max150°C
Temperature, Storage Min-40°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, Fall7.4ns
Time, Rise67ns
Voltage, Vds25V

Производитель: INFIN
Даташит для IRF6629TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRF6629TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRF6629TRPBF (INFIN)
Доступно 9600 шт. (под заказ)