IRF6641TR1PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6641TR1PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 265505
OBS Снято с производства
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id

MOSFET, N, DIRECTFET, MZ

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont4.6A
Resistance, Rds On59.9mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleMZ
Termination TypeSMD
Base Number6641
Current, Id Cont @ 70°C3.7A
Current, Idm Pulse37A
Energy, Avalanche Single Pulse Eas46mJ
Power Dissipation2.8mW
Temperature, Storage Max150°C
Temperature, Storage Min-40°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, Fall65ns
Time, Rise11ns
Voltage, Vds200V

Производитель: INFIN
Даташит для IRF6641TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRF6641TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRF6641TRPBF (INFIN)
Доступно 13157 шт. (под заказ)

MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 59.9mOhms 34nC