BC847BDW1T1G (On Semiconductor)

BC847BDW1T1G, On Semiconductor
Наименование BC847BDW1T1G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 264243
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Напряжение Vce макс,
Коэффициент усиления по току hFE
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Конфигурация
Монтаж
Частота перехода ft
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Тип проводимости и конфигурация

Bipolar Transistor

Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)200V
DC Current Gain Min (hfe)200
Package/CaseSOT-363
C-E Breakdown Voltage45V
Collector Current0.1A
Frequency Min0.38MHz

BC847CDW1T1G (ONS)
от 1,90 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор общего назначения

BC847BS.115 (NEX-NXP)
от 2,70 Склад (1-2 дн)

TRANSISTOR, DUAL, NPN, 45V, SC-88

BC847BDW1T3G (ONS)
Доступно 4927168 шт. (под заказ)

Биполярный транзистор общего назначения

В НАЛИЧИИ 137313шт.
1,70 от 2200 шт. 1,40 от 4800 шт. 1,30
Расчет доставки...