BC847BLT1G (On Semiconductor)

Наименование BC847BLT1G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 263493
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Напряжение Vcbo
Конфигурация
Монтаж
Частота перехода ft
Серия
Максимальная рабочая температура
Макс. рабочая частота
Кол-во выводов
Напряжение Vebo
Напряжение насыщения КЭ

NPN Bipolar Transistor

Производитель: ONS
BC847BLT1G.pdf
BC847B (DIODES)
от 1,20 Склад (1-2 дн)

TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MA, SOT-23

BC846BLT1G (ONS)
от 0,85 Склад (1-2 дн)

Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN

BC847B (DC)
от 1,40 Склад (1-2 дн)

TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MA, SOT-23

BC847C.215 (NEX-NXP)
от 0,81 Склад (1-2 дн)

TRANSISTOR, NPN, 45V, SOT-23

BC847B (DIOTEC)
от 0,99 Склад (1-2 дн)

TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MA, SOT-23

BC847B.215 (NEX-NXP)
от 0,81 Склад (1-2 дн)

TRANSISTOR, NPN, REEL 3K; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:45V; Current, Ic Continuous a Max:100mA; Voltage, Vce Sat Max:200mV; Power Dissipation:250mW; Hfe, Min:200; ft, Typ:300MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Temperature, Operating Range:-65°C to +150°C; Current, Ic Max:100A; Current, Ic hFE:2A; Device Marking:BC847B; Marking, SMD:1F; NF, Max:10dB; Pins, No.…

В НАЛИЧИИ 244255шт.
0,77 от 4400 шт. 0,66 от 9000 шт. 0,61
Расчет доставки...