IRFB4321PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB4321PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 263220
RND Рекомендуется для новых разработок
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs

MOSFET, N, 150V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ150V
Current, Id Cont83A
Resistance, Rds On0.015ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Base Number4321
Charge, Gate N-channel71nC
Current, Idm Pulse330A
Pins, No. of3
Power Dissipation330mW
Power, Pd330W
Voltage, Vds Max150V
Voltage, Vgs th Max5V
Voltage, Vgs th Min3V

IRFB4115PBF (INFIN)
от 139,00 Склад (1-2 дн)

120V-300V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant

IRFB61N15D (INFIN)
Доступно 32 шт. (под заказ)

Полевой транзистор. 150V. 60A.

В НАЛИЧИИ 220шт.
117,00 от 29 шт. 101,00 от 63 шт. 92,00
Расчет доставки...