IRLZ24NSPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRLZ24NSPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 262447
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Тмакс,
Количество транзисторов
Рассеиваемая мощность
Монтаж
Технология
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,

MOSFET, N, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont18A
Resistance, Rds On0.06ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ480pF
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse72A
Energy, Avalanche Single Pulse Eas68mJ
Marking, SMDZ24NS
Power Dissipation3.8W
Power, Pd3.8W
Time, trr Typ60ns
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max2V
Voltage, Vgs th Min1V

Application Note Detailed MOSFET Behavioral Analysis
Производитель: INFIN
Даташит для IRLZ24NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRLZ24NSTRLPBF (INFIN)
Доступно 33594 шт. (под заказ)

MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC Log Lvl