IRFB3307PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB3307PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 261997
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Напряжение для измерения Rds(on)
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id

MOSFET, N, 75V, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:75V; Current, Id Cont:130A; Resistance, Rds On:5mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:510A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:250W; Power, Pd:250W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:75V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFB3307PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
SPD07N20GBTMA1 (INFIN)
Доступно 2120 шт. (под заказ)

MOSFET, N-CH, 200V, 7A, TO-252-3

SPD09P06PLGBTMA1 (INFIN)
Доступно 32873 шт. (под заказ)

20V-250V P-Channel Power MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…

SPD15P10PLGBTMA1 (INFIN)
Доступно 32121 шт. (под заказ)

20V-250V P-Channel Power MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…

SPD30P06PGBTMA1 (INFIN)
Доступно 108357 шт. (под заказ)

20V-250V P-Channel Power MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…

SPP18P06PHXKSA1 (INFIN)
Доступно 8004 шт. (под заказ)

20V-250V P-Channel Power MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…