IRG4BC30FPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRG4BC30FPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 261410
Напряжение насыщения К-Э
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Конфигурация
Монтаж
Технология
Серия
Максимальная рабочая температура
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max31A
Voltage, Vce Sat Max1.9V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed120A
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max180ns
Time, Rise15ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V

Производитель: INFIN
Даташит для IRG4BC30FPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRG4BC30FPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)