IDDD08G65C6XTMA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IDDD08G65C6XTMA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2611819
Uобр макс
Iпр
Количество диодов
Tj
Заряд Qc, нК
Корпус
Кол-во выводов
Серия
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

SIC SCHOTTKY DIODE, SINGLE, 24A, HDSOP; Product Range:CoolSiC 6G 650V Series; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:650V; Continuous Forward Current If:24A; Total Capacitive Charge Qc:12.2nC; Diode Case Style:HDSOP; No. of Pins:10 Pin; Junction Temperature Tj Max:175°C; Automotive Qualification Standard:-

Диоды на основе карбида кремния широко применяются там, где требуются повышенные эффективность и удельная мощность. В процессе оптимизации семейства CoolSiC™ было создано новое шестое поколение (G6) карбид-кремниевых диодов Шоттки со сниженными потерями проводимости. При этом снизилась и величина импульсных токов, которые способен пропускать прибор при определенных условиях.

В статье поясняется, каким образом развитие корпусных технологий силовых полупроводниковых компонентов, в частности – производства Infineon, – применяемых в импульсных источниках питания, помогает в достижении требуемых параметров производительности ИП.

*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()