IRF3710STRLPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF3710STRLPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 260279
Vgs th
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont57A
Resistance, Rds On23mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD

IRF3710STRRPBF (INFIN)
Доступно 5191 шт. (под заказ)

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:57A; Package/Case:D2-PAK; Power Dissipation, Pd:3.8W; Continuous Drain Current - 100 Deg C:40A; Drain Source On Resistance @ 10V:23mohm

IRF3710ZSPBF (INFIN)
от 81,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:59A; Resistance, Rds On:0.018ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…