IRGP30B60KD-EP (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRGP30B60KD-EP
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 260115
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Конфигурация
Монтаж
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Технология
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус

IGBT, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max60A
Voltage, Vce Sat Max2.35V
Case StyleTO-247AD
Current, Icm Pulsed120A
Power, Pd304W
Time, Rise39ns
Voltage, Vceo600V