MJD50T4G (On Semiconductor)

Наименование MJD50T4G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 259312
Частота перехода ft
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Конфигурация
Монтаж

Bipolar Transistor

Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo400V
Continuous Collector Current, Ic1A
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)30V
Power Dissipation, Pd15W
DC Current Gain Min (hfe)150

MJD50G (ONS)
Доступно 26496 шт. (под заказ)

TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:400V; Current, Ic Continuous a Max:1A; Voltage, Vce Sat Max:1V; Power Dissipation:1.56W; Hfe, Min:25; ft, Typ:10MHz; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Application Code:PGP; Current, Ic Max:1A; Current, Ic hFE:0.2A; Depth, External:10.28mm; Length / Height, External:2.38mm; Marking, SMD:MJD50; Power, Ptot:15W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No.…

KSH50TF (ONS-FAIR)
Доступно 7755 шт. (под заказ)

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

В НАЛИЧИИ 9395шт.
18,90 от 179 шт. 16,30 от 389 шт. 14,90
Расчет доставки...