IRF6635TR1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6635TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258995
OBS Снято с производства
Напряжение для измерения Rds(on)
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont25A
Resistance, Rds On1.3mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ5970pF
Current, Idm Pulse250A
Marking, SMD6635
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ20ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V

Производитель: INFIN
IRF6635TR1.pdf
IRF6635TR1PBF (INFIN)
Доступно 426 шт. (под заказ)

N CH MOSFET, 30V, 25A, DIRECTFET MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes

IRF6635TRPBF (INFIN)
Доступно 345 шт. (под заказ)

20V-30V N-Channel Power MOSFET,