IRF6636TR1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6636TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258851
OBS Снято с производства
Напряжение для измерения Rds(on)
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, DIRECTFET, ST

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont18A
Resistance, Rds On3.2mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.45V
Case StyleST
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ2420pF
Current, Idm Pulse140A
Marking, SMD6636
Power Dissipation2.2W
Power, Pd2.2W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ16ns
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max20V

Производитель: INFIN
IRF6636TR1.pdf
IRF6636TRPBF (INFIN)
Доступно 20329 шт. (под заказ)

MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET (ST)

IRF6636TR1PBF (INFIN)
Доступно 173 шт. (под заказ)