IRF6678TR1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6678TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258850
OBS Снято с производства
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont30A
Resistance, Rds On1.7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.25V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ5640pF
Current, Idm Pulse240A
Marking, SMD6678
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ43ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V

Производитель: INFIN
IRF6678TR1.pdf
IRF6618TR1 (INFIN)
Доступно 571 шт. (под заказ)

MOSFET, N, DIRECTFET, MT; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:170A; Resistance, Rds On:2.2mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.64V; Case Style:MT; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:5640pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:46nC; Current, Idm Pulse:240A; Depth, External:6.35mm; IC Package (Case style):MT; Length / Height, External:0.7mm; Marking, SMD:6618; Pins, No.…