IRF6616TR1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF6616TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF6616TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258838
OBS Снято с производства
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ40V
Current, Id Cont19A
Resistance, Rds On4.6mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ3765pF
Current, Idm Pulse150A
Marking, SMD6616
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ15ns
Voltage, Vds40V
Voltage, Vds Max40V

Производитель: INFIN
IRF6616TR1.pdf
IRF6616TRPBF (INFIN)
Доступно 20023 шт. (под заказ)

MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs

IRF6616TR1PBF (INFIN)
Доступно 32 шт. (под заказ)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel