IRF6611TR1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6611TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258837
OBS Снято с производства
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont32A
Resistance, Rds On2mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.25V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ4860pF
Current, Idm Pulse220A
Marking, SMD6611
Power Dissipation3.9W
Power, Pd3.9W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ24ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V

Производитель: INFIN
IRF6611TR1.pdf
IRF6618TR1 (INFIN)
Доступно 571 шт. (под заказ)

MOSFET, N, DIRECTFET, MT; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:170A; Resistance, Rds On:2.2mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.64V; Case Style:MT; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:5640pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:46nC; Current, Idm Pulse:240A; Depth, External:6.35mm; IC Package (Case style):MT; Length / Height, External:0.7mm; Marking, SMD:6618; Pins, No.…