IRF640NSTRRPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF640NSTRRPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258442
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Корпус
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Qg - Gate Charge
Vgs th
Количество транзисторов
Монтаж
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Технология
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация
Channel Mode

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current, Id18A
Package/CaseD2-PAK
Power Dissipation, Pd150W
Continuous Drain Current - 100 Deg C13A
Drain Source On Resistance @ 10V150mohm

Производитель: INFIN
Даташит для IRF640NSTRRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)