BFG35.115 (NXP SEMICONDUCTORS )

BFG35.115, NXP SEMICONDUCTORS
Наименование BFG35.115
Производитель NXP SEMICONDUCTORS (NXP)
Артикул 258103
Частота ft
Тмакс
Uce/ Uds макс.
Ic макс. при 25°C
Конфигурация и полярность
Коэффициент усиления по току hFE
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Корпус
TRANS NPN 10V 150MA SOT223
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo18V
Transition Frequency ft4GHz
Power Dissipation Pd1W
DC Collector Current150mA
DC Current Gain hFE70hFE
RF Transistor CaseSOT-223
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Current Ic Continuous a Max100mA
Gain Bandwidth ft Typ4GHz
Hfe Min25
Operating Temperature Min-65°C
Operating Temperature Range-65°C to +150°C
PackagingCut Tape
Termination TypeSurface Mount Device
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor TypeRF Wideband