IRFI4212H-117P (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFI4212H-117P, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFI4212H-117P
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258024
RND Рекомендуется для новых разработок
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs

MOSFET: N + N, 100 В, Q1: N, 72.5mΩ / 10V, Q2: N, 72.5mΩ / 10V

Производитель: INFIN
IRFI4212H-117P.pdf
IRFI4020H-117P (INFIN)
от 149,00 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Dual N-Channel MOSFET Integrated Half Bridge…

В НАЛИЧИИ 312шт.
69,50 от 50 шт. 59,50 от 100 шт. 54,50
Расчет доставки...