IRFR13N20D (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFR13N20D
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 25728
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont13A
Resistance, Rds On0.235ohm
Case StyleTO-252 (D-Pak)
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse52A
Marking, SMDIRFR13N20D
Power Dissipation110W
Power, Pd110W
Voltage, Vds200V
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max5.5V

IRFR13N20DPBF (INFIN)
от 39,80 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 200V, 14A, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:13A; Resistance, Rds On:0.235ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

IRFR13N20DTRPBF (INFIN)
Доступно 50099 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fully Characterized Avalanche Voltage a…

IRFR13N20DTRLP (INFIN)
Доступно 2267 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fully Characterized Avalanche Voltage a…