IRGB30B60KPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRGB30B60KPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 256119
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Технология
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Конфигурация
Монтаж
Напряжение насыщения К-Э
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C

IGBT, 600V, 78A, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max78A
Voltage, Vce Sat Max2.35V
Power Dissipation370W
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed120A
Power, Pd370W
Time, Fall40ns
Time, Fall Max40ns
Time, Rise28ns
Voltage, Vceo600V

Производитель: INFIN
Даташит для IRGB30B60KPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)