IRGP30B120KD-E (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRGP30B120KD-E
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 25535
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C

IGBT-транзистор+диод. 1200V. 60A.

Производитель: INFIN
IRGP30B120KD-E.pdf
IRGP30B120KD-EP (INFIN)
от 439,00 Склад (1-2 дн)

IGBT, W/DIODE, 1200V, 60A, TO247AD; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:60A; Voltage, Vce Sat Max:2.66V;…