IRFU5305PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFU5305PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU5305PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU5305PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU5305PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFU5305PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 255302
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Тmin,
Тмакс,
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Рассеиваемая мощность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Vgs th
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id

MOSFET, P, -55V, -28A, I-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-55V
Current, Id Cont22A
Resistance, Rds On0.065ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-4V
Case StyleI-PAK
Termination TypeThrough Hole
Capacitance, Ciss Typ1200pF
Case Style, AlternateI-PAK
Current, Iar16A
Current, Idm Pulse110A
Energy, Avalanche Repetitive Ear6.9mJ
Energy, Avalanche Single Pulse Eas280mJ
Length, Lead9.65mm
Pitch, Lead2.28mm
Power Dissipation110W
Power, Pd69W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.065ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max175°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A1.8°C/W
Time, Fall63ns
Time, Rise66ns
Time, t Off39ns
Time, t On14ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max-4V
Voltage, Vgs th Min-2V

В НАЛИЧИИ 7256шт.
37,50 от 94 шт. 32,20 от 204 шт. 29,50
Расчет доставки...