SI2301BDS-T1-E3 (Vishay Intertechnology Inc. )

Наименование SI2301BDS-T1-E3
Производитель Vishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул 254714
Рассеиваемая мощность
Максимальная рабочая температура
Минимальная рабочая температура
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Серия
Технология
Operating Temperature Min
Operating Temperature Range
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

MOSFET, P, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-20V
Current, Id Cont-2.4A
Resistance, Rds On0.1ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-4.5V
Voltage, Vgs th Typ-0.95V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD

IRLML6402TRPBF (INFIN)
от 5,60 Склад (1-2 дн)

MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:3.7A; Resistance, Rds On:0.065ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.55V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:633pF; Charge, Gate P Channel:12nC; Charge, Qrr Typ @ Tj 25°C:11nC; Current, Idm Pulse:22A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:2.5mm; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:11mJ; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:1E; Pins, No.…

SI2301BDS-T1-GE3 (VISHAY)
Доступно 7267 шт. (под заказ)

MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V

В НАЛИЧИИ 4282шт.
10,50 от 75 шт. 10,30 от 404 шт. 9,50 от 836 шт. 9,20 от 1755 шт. 8,80
Расчет доставки...
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()