IRFR13N15DPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFR13N15DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 254093
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Тmin,
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Vgs th
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Channel Mode

MOSFET, N, 150V, 14A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ150V
Current, Id Cont14A
Resistance, Rds On0.18ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse56A
Power Dissipation86W
Power, Pd86W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V180ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.75°C/W
Voltage, Vds Max150V

Производитель: INFIN
irfr13n15d.pdf
IRFR13N15DTRPBF (INFIN)
от 41,60 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

В НАЛИЧИИ 1934шт.
43,70 от 78 шт. 37,40 от 169 шт. 34,40
Расчет доставки...