BD136 (STMicroelectronics)

Наименование BD136
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 254006
Серия
Максимальная рабочая температура
Напряжение насыщения КЭ
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Конфигурация
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Монтаж

Биполярный транзистор -

Тип PNP
UКЭ(макс) 45 В
IК(макс) 1.5 А
Pрасс 12.5 Вт
h21 от 250

BD140 (ST)
от 7,20 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250

BD140-16 (ST)
от 6,70 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор - [SOT-32]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: 25...250

BD136G (ONS)
Доступно 143526 шт. (под заказ)

RF Bipolar Transistor; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:45V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):40V; Power Dissipation, Pd:1.25W; DC Current Gain Min (hfe):40; Package/Case:TO-225

BD135 (ST)
от 14,90 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250

В НАЛИЧИИ 2880шт.
6,90 от 500 шт. 5,90 от 1100 шт. 5,40
Расчет доставки...