IRL3103S (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRL3103S
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 25395
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Напряжение для измерения Rds(on)

MOSFET, N LOGIC D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont56A
Resistance, Rds On0.014ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse220A
Depth, External15.49mm
Length / Height, External4.69mm
Marking, SMDL3103S
Power Dissipation83W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.7W
Power, Pd83W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Max2.5V
Width, External10.54mm

IRL3103STRLPBF (INFIN)
Доступно 10522 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fully Avalanche Rated Logic Lev…

STB55NF03LT4 (ST)
Доступно 8337 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Примечание: MOSFET, N CH, 30V, 55A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:27.5A; Drain Source Voltage Vds:30V;…