BD136G (On Semiconductor)

BD136G, On Semiconductor
Наименование BD136G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 253825
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vcbo
Конфигурация
Монтаж
Серия
Напряжение Vebo
Рассеиваемая мощность
Корпус

RF Bipolar Transistor

Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo45V
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)40V
Power Dissipation, Pd1.25W
DC Current Gain Min (hfe)40
Package/CaseTO-225

BD136 (ST)
от 7,60 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250

BD140 (ST)
от 7,60 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250