BD139-10 (STMicroelectronics)

Наименование BD139-10
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 252470
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Конфигурация
Монтаж
Серия

Биполярный транзистор -

Тип NPN
UКЭ(макс) 80 В
UКЭ(пад) 500 мВ
IК(макс) 1.5 А
Pрасс 12.5 Вт
h21 25...250

BD13910S (ONS-FAIR)
Доступно 25158 шт. (под заказ)

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

BD139-16 (ST)
от 7,80 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор - [SOT-32-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: 100...250

BD140-16 (ST)
от 6,70 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор - [SOT-32]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: 25...250