IRFI530NPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFI530NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 251675
Конфигурация
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id

MOSFET, N, FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont11A
Resistance, Rds On0.108ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220FP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse60A
Pins, No. of3
Power Dissipation33W
Power, Pd33W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max100V

Производитель: INFIN
irfi530n.pdf