IRGP30B120KD-EP (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRGP30B120KD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRGP30B120KD-EP
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 251307
Технология
Максимальная рабочая температура
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Конфигурация
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Монтаж

IGBT, W/DIODE, 1200V, 60A, TO247AD

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max60A
Voltage, Vce Sat Max2.66V
Power Dissipation300W
Case StyleTO-247AD
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed120A
Time, Fall Max75ns
Time, Rise25ns

Производитель: INFIN
Даташит для IRGP30B120KD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRGP30B120KD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRGP30B120KD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
В НАЛИЧИИ 195шт.
458,00 от 8 шт. 393,00 от 17 шт. 361,00
Расчет доставки...