IRGS6B60KDPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRGS6B60KDPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 251010
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Технология
Серия
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Конфигурация
Максимальная рабочая температура
Рассеиваемая мощность Pd
Монтаж

IGBT, 600V, 13A, D2-PAK

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max13A
Voltage, Vce Sat Max2V
Power Dissipation90W
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Current, Icm Pulsed26A
Power, Pd90W
Time, Fall22ns
Time, Fall Max22ns
Time, Rise17ns
Voltage, Vceo600V

IRGS6B60KDTRLP (INFIN)
Доступно 1831 шт. (под заказ)

IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz

IRGS6B60KDTRRP (INFIN)
Доступно 2254 шт. (под заказ)

IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz