IRG4PH50S (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRG4PH50S
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 25013
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max57A
Voltage, Vce Sat Max1.47V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed114A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max638ns
Time, Rise29ns
Voltage, Vceo1200V

Производитель: INFIN
IRG4PH50S.pdf
IRG4PH50S-EPBF (INFIN)
Доступно 1884 шт. (под заказ)

IGBT Transistors 1200V DC-1kHz w/ exetended lead

IRG4PH50SPBF (INFIN)
Доступно 8921 шт. (под заказ)

IGBT, 1200V, 57A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:57A; Voltage, Vce Sat Max:1.47V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:114A; Pins, No.…